Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия (ХГФЭ)

Материал из Википедии — свободной энциклопедии
Перейти к навигации Перейти к поиску

Хлорид-гидридная газофазная эпитаксия — является эпитаксиальным методом для выращивания кристаллов с помощью хлоридов металлов, поступающих в реактор в газовой фазе.
Метод получил широкое распространение в промышленном производстве полупроводников AlN, GaN, GaAs, InP благодаря высокой скорости роста по сравнению с молекулярно-пучковой эпитаксией, МОС-гидридной эпитаксией.[1]
Конструкция ХГФЭ реактора схожа с установкой МОС-гидридной эпитаксии, однако, в последней, в соответствии с названием, исходный газ является органическими молекулами, содержащими целевой металл.
Отдельные особенности и перспективные направления ХГФЭ изучаются учеными разных университетов.[2]

Примечания

[править | править код]
  1. Вороненков Владислав Валерьевич. "Оптимизация технологических условий эпитаксиального роста толстых слоев нитрида галлия", диссертация на соискание ученой степени кандидата физико–математических наук. — Санкт–Петербург, 2015. — 175 с.
  2. Источник. Дата обращения: 22 марта 2017. Архивировано 23 марта 2017 года.